TSRI前瞻製程概要介紹(TN16FFC/28HPM/28HPC+)
沙主榮
2020年8月4日(二) 19:50~20:30
薔薇廳
Abstract
隨著5G、AI、高速運算晶片的應用興起，越來越多的IC採用前瞻性 16/28 nm CMOS製程製作。TSRI在提供學術界前瞻性晶片實作服務上，除持續提供TSMC 28nm製程，已於2019年引進TSMC 16nm FinFET製程並建置設計實作環境。本講題將介紹中心提供之 TN16FFC/28HPM/28HPC+ 製程設計環境，從進入 FinFET 製程後，FinFET電晶體在電路模擬與佈局上的注意事項，到28HPM/28HPC+製程的元件與電路特性比較。冀望藉由本講題能讓更多IC設計者對前瞻製程設計環境有更進一步的認識。
Biography
成功大學電機碩士畢業(2001)，目前為 TSRI 晶片實作組副研究員。主要負責前瞻製程晶片設計環境驗證，包含16nm, 28nm製程設計環境驗證與維護。